온세미, 데이터센터 에너지 효율 향상 위한 전력 솔루션 공개
입력 : 2024.06.12
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지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미가 T10 파워트렌치(T10 PowerTrench®) 제품군과 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) 650V MOSFET을 발표했다.
데이터센터가 AI 워크로드의 방대한 처리요구를 지원하기 위해 점점 더 많은 전력을 소비함에 따라 에너지 효율성의 증대가 무엇보다 중요해졌다. 해당 제품의 강력한 조합은 데이터센터 애플리케이션을 위해 작은 설치 공간에서도 탁월한 효율성과 높은 방열 성능을 제공하는 솔루션을 만들었다.
EliteSiC 650V MOSFET은 높은 스위칭 성능과 낮은 디바이스 커패시턴스를 제공해 데이터센터와 에너지 저장 시스템에서 더 높은 효율을 달성할 수 있다. 이전 세대와 비교했을 때, 이 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 게이트 전하를 절반으로 줄이고, 출력 커패시턴스(Eoss)와 출력 전하(Qoss)에 저장된 에너지를 모두 44% 줄였다.
T10 파워트렌치 MOSFET 제품군은 DC-DC 전력 변환 단계에 필수적인 고전류를 처리할 수 있도록 설계됐다. 또한 콤팩트한 풋프린트에서 향상된 전력 밀도와 열 성능을 제공한다.
온세미 파워 솔루션 그룹 사장인 사이먼 키튼(Simon Keeton)은 12일 배포자료에서 'AI와 전기화는 우리의 세상을 재편하고 전력 수요를 급증시키고 있다. 이러한 기술 메가트렌드를 실현하기 위해서는 전력 반도체 혁신을 가속화해 에너지 효율을 개선하는 것이 핵심이다. 이것이 바로 우리가 책임감 있게 미래에 대응하는 방법'이라고 했다.
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