"내년 메모리 시장, AI가 끌고 HBM4가 민다"…

내년(2026년) 글로벌 메모리 시장은 AI 수요 폭증과 제한된 공급 상황이 맞물리며 강력한 성장세를 보일 것이라는 전망이 나왔다. HBM4, 차세대 D램, 1천 단(段) 이상 3D 낸드 등 기술 혁신이 성장을 견인할 핵심 동력으로 꼽혔다.

IT 시장분석기관 테크인사이츠(TechInsights)는 29일 발표한 '2026 메모리 전망' 보고서를 통해 이같이 분석했다. 보고서는 AI 확산으로 고성능·저전력 메모리 수요가 급증하면서, D램과 낸드가 SRAM 수준의 속도, HBM급 대역폭, 비휘발성, 확장성을 향해 진화하고 있다고 진단했다.


HBM4·차세대 D램·3D 낸드 '기술 각축전'
D램 기술은 10nm(나노미터)급 이하 D1c/D1-감마 노드로 확장되며, AI 애플리케이션을 위한 고성능·저전력 HBM4와 차세대 D램이 시장을 주도할 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 업체들은 6F²·4F² 셀 구조, 3D D램, 새로운 채널 소재(IGZO) 등을 도입해 성능과 에너지 효율 개선 경쟁을 벌이고 있다.

HBM과 HBF(High-Bandwidth Flash)는 AI 가속기, 고성능 컴퓨터(HPC), 데이터센터의 고성능 메모리 수요를 충족할 핵심 기술로 꼽혔다. 16단(Hi) HBM4 모듈, LPW(Low Power Wide I/O) D램, 소캠(SoCAM) 등 혁신 기술이 2026년 상용화될 예정이다. 키오시아(KIOXIA)와 샌디스크(SanDisk)의 HBF 기술은 AI 엣지 장치에서 HBM을 대체할 잠재력도 갖췄다.

3D 낸드는 하이브리드 본딩, 신규 WL(Word Line) 소재, 계단 없는 WLC(Wafer Level Cell) 구조 등 신기술 경쟁이 치열하다. 이를 기반으로 삼성전자, 마이크론, YTMC(양쯔메모리)가 올해 200단대 제품을 출시했으며, SK하이닉스의 300단대 제품도 곧 나올 전망이다. 보고서는 1천 단 이상의 3D 낸드는 설계, 공정, 소재 혁신을 통해 달성 가능하다고 분석했다.

미국의 대중(對中) 반도체 수출 제한은 내년에도 이어질 변수다. 미국은 AI 메모리와 첨단 D램·낸드 장비의 중국 수출을 계속 제한할 예정이다. 이에 중국의 YMTC, 창신메모리(CXMT), 푸젠진화(JHICC) 등은 기술 자립을 강화하고 하이브리드 본딩 등 자체 혁신 기술 개발을 가속하고 있다.

공급 부족·소비 둔화는 '제약 요인'
테크인사이츠는 내년 메모리 시장이 AI 중심 수요 증가와 제한된 공급 속에서 D램, HBM, 낸드 모두 강력한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 특히 HBM4는 AI 학습·추론용 가속기에서 핵심 역할을 하고, 고성능 D램과 고용량 낸드는 데이터센터·엣지 장치에서 활용도를 높일 것으로 봤다.

다만, DDR4 및 일부 일반 낸드의 공급 부족 가능성과 소비자용 PC·스마트폰 수요 둔화는 시장 성장의 제약 요인이 될 수 있다고 지적했다.

보고서는 2026년이 AI·데이터 중심 시대에 대응하기 위한 메모리 기술 혁신과 공급 전략이 본격 시험대에 오르는 해가 될 것이며, 성능·에너지 효율·확장성이 글로벌 메모리 산업 경쟁력의 핵심 요소가 될 것으로 전망했다.