TI, GaN 전력 반도체 제조 역량 4배 확대

TI(텍사스 인스트루먼트)는 일본 아이주 공장을 통해 GaN(질화갈륨) 기반 전력 반도체의 자체 제조 역량을 4배로 확대했다고 밝혔다. 이번 확장으로 미국 텍사스주 댈러스의 기존 시설과 함께 일본에서의 생산이 시작되며, TI는 더욱 폭넓은 GaN 기반 반도체 포트폴리오를 제공하게 됐다.

TI, 200mm GaN 기술로 안정적 대량 생산 시작
TI의 모하마드 유누스 수석 부사장은 “TI는 10년 이상의 GaN 칩 설계 및 제조 전문성을 바탕으로 비용 경쟁력 있는 200mm GaN 기술을 성공적으로 검증해 아이주 공장에서 대량 생산을 시작하게 됐다”고 밝혔다. 또한 그는 “이번 확장으로 TI는 2030년까지 내부 제조 비율을 95% 이상으로 높이며 에너지 효율적인 고전력 반도체 공급을 강화할 수 있을 것”이라고 설명했다.

GaN 기술의 강점과 TI의 포트폴리오
GaN은 기존 실리콘을 대체하는 소재로, 에너지 효율성과 스위칭 속도, 고온·고전압 조건에서의 성능에 뛰어난 장점을 제공한다. 이 기술은 전원 어댑터, 냉난방 시스템, 가전제품 등 다양한 애플리케이션에서 전력 밀도를 높이고 제품 크기를 줄이는 데 기여한다. TI는 저전압부터 고전압까지 다양한 전압 범위에서 통합된 GaN 기반 전력 반도체 포트폴리오를 제공하고 있다.

고성능 반도체의 안정적 공급 및 시장 대응
TI 고전압 전력 부문의 캐넌 사운다라판디안 부사장은 “TI의 GaN 기술은 더 작은 공간에서 더 많은 전력을 효율적으로 제공할 수 있도록 지원한다”고 밝혔다. 그는 이어 “서버 전력, 태양광 발전, AC/DC 어댑터 등 다양한 시스템에서 전력 소비를 줄이고 에너지 효율을 높여야 하는 과제에 직면한 고객들에게 TI의 GaN 기반 칩은 높은 전력 밀도와 편의성을 제공할 것”이라고 말했다.

TI 일본 아이주 제조시설 직원
독자적인 GaN-온-실리콘 공정 및 신뢰성 강화
TI의 GaN 반도체는 GaN-온-실리콘 공정을 통해 고전압 시스템에서 안정적으로 작동할 수 있도록 설계됐다. 8천만 시간 이상의 신뢰성 테스트와 통합 보호 기능으로, TI의 GaN 반도체는 고성능과 안전성을 겸비한 솔루션으로 자리 잡고 있다.

확장 가능한 GaN 제조와 지속 가능한 미래
TI는 최신 GaN 제조 장비와 효율적인 공정을 통해 제품 성능과 생산성을 높이고, 환경적 이점을 극대화했다. 더 작은 칩에 더 많은 전력을 담는 설계 혁신으로 생산 과정에서 물과 에너지, 원자재 사용량을 줄이며 지속 가능한 제조를 실현하고 있다. TI는 향후 900V 이상의 GaN 칩을 제공할 계획으로, 로봇공학, 재생 에너지, 서버 전원 등 다양한 애플리케이션에서 전력 효율을 높일 수 있을 전망이다.

300mm GaN 제조 공정 전환을 위한 파일럿 성공
TI는 올해 초 300mm 웨이퍼 기반의 GaN 제조 공정을 위한 파일럿을 성공적으로 완료했다. 이를 통해 향후 300mm 기술로의 전환과 생산 확대가 가능해져, 고객의 요구에 따라 유연하게 대응할 수 있는 기반을 마련했다.

책임감 있는 제조와 재생 가능 에너지 목표
TI는 지속 가능한 제조를 위한 노력의 일환으로, 2027년까지 미국 내 사업장에서 100% 재생 가능 전기를 사용하고, 2030년까지는 전 세계적으로 이를 달성할 계획을 세웠다. GaN 기술의 확장과 혁신은 TI의 책임감 있는 제조와 지속 가능한 미래를 위한 비전을 반영하고 있다.