SK하이닉스, 238단 4D 낸드 개발
내년 상반기 양산…생산성·속도·전력소모 개선
전자 | 김지운 기자 | 입력 : 2022.09.01
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SK하이닉스가 238단 낸드 개발에 성공했다고 최근 밝혔다.
이 회사에 따르면, 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 출시했고, 2023년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술 개발에 성공했다.
낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 된다.
SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다. 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 이 회사 기술진은 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell) 기술을 적용했다. 4D는 3D 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산효율은 높일 수 있다.
이 회사에 따르면, 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 출시했고, 2023년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술 개발에 성공했다.
낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 된다.
SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다. 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 이 회사 기술진은 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell) 기술을 적용했다. 4D는 3D 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산효율은 높일 수 있다.
SK하이닉스가 개발한 현존 세계 최고층 238단 512Gb TLC 4D 낸드플래시
김지운 기자
jwkim@industryjournal.co.kr
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